半导体照明技术技能人才培养系列丛书 LED器件与工艺技术【2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载】

半导体照明技术技能人才培养系列丛书 LED器件与工艺技术PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第1章 LED材料外延与检测技术1

1.1 LED外延基础知识1

1.1.1 LED的外延结构1

1.1.2 LED的外延生长基本知识2

1.2 MOCVD技术基本背景4

1.2.1 MOCVD技术的背景知识4

1.2.2 MOCVD外延生长中的基本机制和原理5

1.3 MOCVD设备简介9

1.3.1原材料气源供应系统9

1.3.2 MOCVD反应室分系统12

1.3.3 MOCVD设备的其他功能子系统16

1.4 MOCVD源材料19

1.4.1金属有机化合物源（MO源）19

1.4.2气体源（氢化物、载气）22

1.4.3衬底24

1.5氮化物LED材料的检测技术27

1.5.1高分辨X射线检测技术27

1.5.2光致发光测试技术31

1.5.3霍尔测试技术34

1.5.4电容电压测试技术36

1.5.5 AF M和TEM检测技术38

参考文献42

第2章 蓝绿光LED外延结构设计与制备46

2.1氮化物半导体材料的性质46

2.1.1氮化物材料的基本性质46

2.1.2氮化物材料中的极化电场49

2.2氮化物LED的能带结构52

2.2.1 pn结的能带结构52

2.2.2量子阱能带结构57

2.3氮化物LED多量子阱的设计及生长61

2.3.1极化电场对量子阱能带的影响62

2.3.2量子垒设计及其对载流子输运的影响62

2.3.3量子阱设计及其对载流子分布的影响64

2.3.4多量子阱界面的优化生长66

2.4氮化物LED电子阻挡层及p型层的设计68

2.4.1电子阻挡层的电子限制作用68

2.4.2电子阻挡层对空穴注入的影响70

2.4.3 p-GaN层的优化生长72

参考文献73

第3章 红黄光LED外延生长技术75

3.1红光LED材料及LED基本结构75

3.1.1 LED外延材料选取的原则75

3.1.2红光LED外延材料——AlGaInP的性质76

3.1.3红光LED基本外延结构78

3.2红光LED的材料外延79

3.2.1红光LED材料外延的工艺设计79

3.2.2有源区材料的外延82

3.2.3限制层材料的外延84

3.2.4窗口层材料的外延86

3.3共振腔LED结构与外延88

3.3.1共振腔LED结构及设计88

3.3.2 650nm共振腔LED外延91

3.3.3 650nm共振腔LED芯片工艺93

参考文献94

第4章 LED芯片结构及制备工艺96

4.1芯片制造基础工艺96

4.1.1蒸镀工艺96

4.1.2光刻工艺98

4.1.3刻蚀工艺103

4.1.4沉积工艺104

4.1.5退火工艺105

4.1.6研磨抛光工艺106

4.1.7点测工艺109

4.1.8检验工艺111

4.2蓝绿光LED芯片结构及制备工艺114

4.2.1正装结构设计及制备工艺114

4.2.2倒装结构芯片及制备工艺120

4.3垂直结构设计及制备工艺123

4.3.1垂直结构芯片的优势124

4.3.2垂直结构芯片的制备工艺125

4.4高压LED芯片设计及制备工艺126

4.4.1高压LED芯片的优点127

4.4.2 GaN基高压LED结构设计129

4.4.3 GaN基高压LED制备工艺132

参考文献133

第5章 蓝绿光LED高光提取技术136

5.1电流阻挡层（Current Blocking Layer， CBL）137

5.2隐形切割（Stealth Dicing， SD）139

5.3粗化（Rough）142

5.4反射电极（Reflected Pad）147

5.5侧腐蚀（Sidewall Etching， SWE）151

5.6表面纹理化（Surface Texture）157

5.6.1在LED外延层上直接引入纹理化图形157

5.6.2在透明导电层上引入纹理化图形161

5.6.3在传统透明导电层上引入其他透明导电层162

5.7分布布拉格反射镜（Distribution Blagg Reflector）163

5.8图形蓝宝石衬底（Pattern Sapphire Substrate， PSS）168

参考文献172

第6章 黄红光LED芯片结构与制备工艺178

6.1红、黄色LED基本结构和制备工艺流程179

6.1.1正装AlGaInP LED芯片结构及制备工艺179

6.1.2倒装芯片结构及工艺流程181

6.2红、黄光LED电极结构及电流扩展技术184

6.2.1芯片电极形状变化184

6.2.2电流扩展层技术及透明电极185

6.2.3电流阻挡层188

6.3 GaAs基LED高光提取技术189

6.3.1透明光学窗口层技术189

6.3.2倒梯形等外形结构190

6.3.3表面粗化191

6.3.4光子晶体LED194

6.4转移衬底器件的反射镜194

6.4.1金属反射镜结构195

6.4.2全方向反射镜结构（ODR）197

6.5高亮度和大功率AlGaInP LED技术200

参考文献202

第7章 LED封装基础知识207

7.1 LED器件封装的主要功能208

7.1.1光电器件封装的机电连接与保护特性208

7.1.2发光器件的光谱转换与实现209

7.2 LED器件封装的光学设计210

7.2.1 LED器件的光提取效率210

7.2.2 LED封装后的光学特性212

7.2.3荧光粉光学特性的计算与分析217

7.3 LED器件封装的热学设计224

7.3.1 LED的热特性224

7.3.2 LED封装的热阻模型226

7.3.3热场分布的计算机辅助分析229

参考文献232